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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
12.6
15.3
写入速度,GB/s
9.5
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
2706
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Inmos + 256MB
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