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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
比较
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
总分
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
总分
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
12.8
16.8
写入速度,GB/s
6.7
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3036
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
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