RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Corsair CM2X1024-6400 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

总分
star star star star star
Corsair CM2X1024-6400 1GB

Corsair CM2X1024-6400 1GB

总分
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CM2X1024-6400 1GB 需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 20.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,254.8 left arrow 16.2
    测试中的平均数值
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB 需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    18 left arrow 54
    左右 -200% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    54 left arrow 18
  • 读取速度，GB/s
    4,715.6 left arrow 20.5
  • 写入速度，GB/s
    2,254.8 left arrow 16.2
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    857 left arrow 3564

Corsair CM2X1024-6400 1GB RAM的比较

Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Corsair CM2X1024-6400 1GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
内存RAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
内存RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
内存RAM