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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
54
左右 -170% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
20
读取速度,GB/s
4,967.4
19.4
写入速度,GB/s
1,973.5
15.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
3217
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
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Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
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