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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
54
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.2
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
25
读取速度,GB/s
4,967.4
19.5
写入速度,GB/s
1,973.5
16.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
3890
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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