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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
33
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
33
读取速度,GB/s
19.1
16.3
写入速度,GB/s
13.1
11.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2918
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB RAM的比较
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
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