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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
38
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
38
读取速度,GB/s
16.0
16.2
写入速度,GB/s
10.3
13.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2944
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
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