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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
13.5
21.2
写入速度,GB/s
9.3
17.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
4043
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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