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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
13.9
17.3
写入速度,GB/s
8.5
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3294
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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