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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

总分
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

总分
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB 需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB 需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 41
    左右 -37% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16 left arrow 13.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.6 left arrow 8.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 10.6
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2385 left arrow 3026

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Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
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内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Kingston XJ69DF-HYA 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
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