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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
25
读取速度,GB/s
14.6
15.0
写入速度,GB/s
8.8
11.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3085
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
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