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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
比较
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
总分
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
16.3
15.5
写入速度,GB/s
13.5
9.7
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3146
2496
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
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