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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
比较
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
总分
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
14.2
15.6
写入速度,GB/s
8.1
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2307
3060
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
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