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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
总分
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
39
左右 -129% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
17
读取速度,GB/s
12.1
21.2
写入速度,GB/s
9.8
17.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2453
3714
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
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