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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
35
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
30
读取速度,GB/s
14.3
15.8
写入速度,GB/s
9.4
12.4
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2479
2866
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Centon Electronics JIYT48UFA 1GB 1GB
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