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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
30
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.1
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
30
读取速度,GB/s
17.0
16.8
写入速度,GB/s
11.5
12.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
3046
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
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