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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB

总分
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

总分
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB 需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    20 left arrow 44
    左右 55% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 10.8
    测试中的平均数值
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.3 left arrow 17
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    20 left arrow 44
  • 读取速度，GB/s
    17.0 left arrow 17.3
  • 写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 10.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3077 left arrow 2523

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB RAM的比较

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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
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内存RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
内存RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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内存RAM
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Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
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内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
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