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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
32
左右 38% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
32
读取速度,GB/s
17.0
18.7
写入速度,GB/s
11.5
13.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
3277
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB RAM的比较
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
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