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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
64
左右 69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
64
读取速度,GB/s
17.0
16.8
写入速度,GB/s
11.5
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
2052
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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