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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
78
左右 78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
78
读取速度,GB/s
22.8
13.7
写入速度,GB/s
15.4
8.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
1895
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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