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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
33
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
33
读取速度,GB/s
22.8
15.7
写入速度,GB/s
15.4
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2851
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
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