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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
36
左右 53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
36
读取速度,GB/s
22.8
16.5
写入速度,GB/s
15.4
10.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2899
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
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