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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
29
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.8
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
29
读取速度,GB/s
22.8
19.4
写入速度,GB/s
15.4
15.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3614
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB RAM的比较
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
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