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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
53
左右 68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
20
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
53
读取速度,GB/s
22.8
20.0
写入速度,GB/s
15.4
9.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2366
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
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