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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
29
读取速度,GB/s
14.0
18.8
写入速度,GB/s
9.0
15.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
3734
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
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Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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