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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
39
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
31
读取速度,GB/s
14.0
16.7
写入速度,GB/s
9.0
13.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
3008
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
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