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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
39
左右 -77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
22
读取速度,GB/s
14.0
18.1
写入速度,GB/s
9.0
12.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2580
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
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