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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB

总分
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 39
    左右 -63% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.3 left arrow 14
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.3 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    39 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    14.0 left arrow 15.3
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 10.3
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2489 left arrow 2541

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
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Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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