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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
11.4
17.6
写入速度,GB/s
7.4
14.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3687
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
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