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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
11.4
17.9
写入速度,GB/s
7.4
15.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3385
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
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