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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
11.4
17.1
写入速度,GB/s
7.4
12.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3222
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
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