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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
11.4
19.6
写入速度,GB/s
7.4
15.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3807
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
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