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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
11.4
16.3
写入速度,GB/s
7.4
11.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2849
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
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Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
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