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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
35
读取速度,GB/s
11.4
15.0
写入速度,GB/s
7.4
10.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2636
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
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Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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