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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
64
左右 42% 更低的延时
需要考虑的原因
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
64
读取速度,GB/s
11.4
16.5
写入速度,GB/s
7.4
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2016
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
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