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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
37
左右 -106% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
18
读取速度,GB/s
11.4
20.7
写入速度,GB/s
7.4
16.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3722
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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Kingston 9905700-053.A00G 8GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
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Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
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