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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
71
左右 48% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
71
读取速度,GB/s
11.4
16.2
写入速度,GB/s
7.4
8.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1979
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
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