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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
83
左右 55% 更低的延时
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
83
读取速度,GB/s
11.4
14.3
写入速度,GB/s
7.4
7.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1752
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston 99U5471-017.A00LF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
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