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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Kingston KHX2666C16/8G 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
11.4
16.7
写入速度,GB/s
7.4
13.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3208
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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