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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
11.4
14.5
写入速度,GB/s
7.4
8.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2625
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
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Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
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