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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.4
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
11.4
11.1
写入速度,GB/s
7.4
6.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1890
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9965604-008.C00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
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