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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
46
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
46
读取速度,GB/s
11.4
16.6
写入速度,GB/s
7.4
15.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3045
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
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