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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
51
左右 -50% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
34
读取速度,GB/s
4,246.9
14.9
写入速度,GB/s
1,839.1
11.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
2831
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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