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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
4,246.9
16.7
写入速度,GB/s
1,839.1
13.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
3447
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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