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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
28
读取速度,GB/s
16.2
19.7
写入速度,GB/s
9.7
15.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
3717
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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