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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
29
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
18
读取速度,GB/s
16.9
19.4
写入速度,GB/s
12.0
15.9
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3063
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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