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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
33
读取速度,GB/s
16.9
17.6
写入速度,GB/s
12.0
12.8
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3166
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
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