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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 -12% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
26
读取速度,GB/s
16.9
14.3
写入速度,GB/s
12.0
8.9
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2384
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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