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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
16.9
18.0
写入速度,GB/s
12.0
13.0
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3188
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
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