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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
47
读取速度,GB/s
16.9
11.6
写入速度,GB/s
12.0
8.4
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2537
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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